반도체 어닐링(annealing)/열처리

불순물을 주입한 실리콘웨이퍼의 활성화(고밀도.고속화)

반도체가 목표하는 방향은 고밀도와 스위칭속도의 고속화 입니다. 이것을 실현하기 위서는 얇은 반도체층을 만드는 기술이 필요합니다. 반도체층을 만드는데는 실리콘웨이퍼에 불순물(이종원소)을 주입해서(토핑) 파괴된 결정구조를 회복하기위한 열처리로 활성화를 실행합니다. 이때, 열이 깊은층까지 들어가면 불순물이 깊은층까지 확산되서 두꺼운 반도체층이 되어버리지만, 플래쉬어닐링은 극표면에만 열처리온도가 도달하기 때문에 불순물이 확산되지 않아 극박반도체층을 만들수 있게 됩니다.

태양전지의 박막화(기초재료에 열영향 억제.저코스트화)

태양전지는 실리콘 재료가 비싸기 때문에 실용화하기 위해서는 저코스트화가 연구 대상입니다. 비싼 실리콘 사용량을 줄이기 위해, 태양전지를 얇게 만드는[박막화]기술이 추구되고 있고, 실리콘계의 태양전지에서의 박막화는 다결정 실리콘과 비결정질(amorphous)을 기초재료로 사용하는 방법이 고려되고 있으며, 기초재료에 영향이 적은 플래쉬어닐링에 기대가 모아지고 있습니다.
또한, 저코스트화를 위해 고가의 실리콘이나 희소금속을 사용하지 않는 화합물 박막 태양전지에서도 동일하게 열처리에 의한 결정화시, 기초재료에 영향이 적은 플래쉬 어닐링이 주목 받고 있습니다.

강유전체메모리용 PZT막의 결정화(기초재료에 열영향 억제)

IC카드나 모바일기기등에 널리 사용되고 있는 강유전체메모리에 사용하는 강유전체 캐패시터 제막기술로서 PZT(ferroelectric material)막을 결정화할때, 기초재료에 영향이 적은 플래쉬 어닐링이 효과가 있다는 평판을 받고 있습니다.