半導体のライフタイム測定

シリコンインゴットライフタイム測定器(ナプソン株式会社様)

シリコンウェハの加工やデバイスの製作プロセスにおける金属汚染や結晶欠陥の解析・研究のためにキャリアライフタイム*の測定がますます重要視されてきています。ナプソン社製シリコンインゴットライフタイム測定器では、当社ストロボを用い、測定規格に基づいた安定なライフタイム測定を実現しています。

*ライフタイムとは、ストロボの閃光をシリコンインゴットに照射することによって、一時的にキャリア(プラスかマイナスの電子)を増加させ、その後の時間の経過とともにキャリアが減少し、もとの状態にもどる一連の現象を指します。P型のシリコン結晶体では、通常プラスの電子が多く(逆に、N型ではマイナス電子が多い)、ストロボ閃光を照射するとマイナスの電子が発生し(N型では、プラス電子)、これらが結合してもとの状態にもどることが知られています。